收藏本站
IRF7607
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.20
0.10
0.00
-0.10
-0.20
-0.30
-0.40
Id = 250μA
0.0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature ( C)
°
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
T J , Temperature ( ° C )
Fig 10. Typical Vgs(th) Variance Vs.
Juction Temperature
 
 
 
1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P DM
t 1
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF7663TR MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
IRF7700GTRPBF MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
IRF7700TRPBF MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
IRF7701GTRPBF MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
IRF7701TRPBF MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
IRF7702GTRPBF MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
IRF7703GTRPBF MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
IRF7703TRPBF MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
相关代理商/技术参数
IRF7607PBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7607TR 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7607TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 6.5A 8PIN MICRO8 - Tape and Reel
IRF7607TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 22nC Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7633 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7633TR 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7663 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P MICRO-8
IRF7663HR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -20V, -8.2A, 20 MOHM, 30 NC QG, MICRO 8 - Rail/Tube